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会议论文
专利
   
 
  • 一种氮化物发光器件及其制备方法,申请号:200920111571.1
  • 一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法,申请号:200710009955.3

  • 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法,申请号:200710009956.8

  • 大功率半导体微腔发光二极管,申请号:200910110947.7

  • 氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法,申请号:200910110946.2

  • 一种改善p型氮化镓薄膜电学特性的方法,申请号:201510018419.4