目前,用于GaN基VCSEL中的分布布拉格反射镜(DBR)主要有介质材料和氮化物材料。与介质膜DBR(SiO2/Ta2O5等)相比,氮化物DBR的折射率差较小,要获得满足激射条件的高反射率氮化物DBR结构,常需更多的周期数(25~60周期)。在氮化物DBR中,已经尝试过AlGaN/GaN,AlGaN/AlGaN,AlInN/GaN和AlN/GaN等多周期的DBR结构。其中AlN/GaN DBR结构具有较大的折射率差,所需的周期数相对较少等特点,目前已引起了格外的关注并有实验报道。然而,由于AlN和GaN之间有较大的晶格失配(~2.4%)和热膨胀系数差异(~25%),如何克服由此造成的负面效应是制备高质量DBR的关键。我们利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,通过采用特殊的应力调节和降低缺陷技术,在蓝宝石C面衬底上制备出高反射率AlN/GaN DBR。图为两个工作波段的AlN/GaN DBR样品的反射谱,相应的最大反射率均达到99%。