现在,太阳能电池在太空及地面均有广泛应用。理论表明,要使在地面上应用的光伏器件转换效率大于50%,必须需要带隙大于2.4eV的材料,并把器件设计成多结结构。GaN基材料刚好满足以上要求,InN带隙大约为0.65eV,这样,InGaN的带隙从红外到紫外覆盖着整个太阳光谱并连续可调。同时,GaN基材料为直接带隙材料,具有载 流子有效质量低、吸收系数高、耐辐射等优点,使其具有制作高效率太阳能电池的潜力。理论研究表明InGaN可作为良好的光伏材料,但实验研究处于起步阶段。我们制作了InGaN p-i-n同质结太阳电池,获得了较高的光响应。通过进一步加大In的组分,已经能够扩展器件的响应波长范围,并提高了器件的短路电流。