继GaN之后,ZnO作为紫外发光和激光材料引起了人们广泛的研究热潮。而MgZnO/ZnO量子阱是实现其光电子器件的一个重要结构,相对于GaN的量子阱,ZnO基的量子阱具有更大的光学增益。特别是针对激光器件,量子阱强的限域效应极大提高了激子的跃迁几率。图中给出了ZnO/Mg0.1Zn0.9O量子阱在低温下随阱宽连续变化时的光致发光谱。可以看出,随阱宽的变窄,激子相关的发射峰明显发生了蓝移,这显然是量子限域效应造成的。目前,针对ZnO基量子阱的很多性质都处于研究之中,很多基础的问题也有待于进一步探索。