2022年11月16日，本实验室成员侯鑫在第十届APWS国际会议(The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, APWS 2022)上作名为“Photoluminescence of InGaN-based red multiple quantum wells”的报告。

2022年11月15日，本实验室成员龙浩在第十届APWS国际会议(The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, APWS 2022)上作名为“Research on solar-blind ultraviolet photodetector based on gallium oxide”的报告。

（邀请报告）2022年11月15日，本实验室成员张保平教授被邀请在第十届APWS国际会议(The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, APWS 2022)上作名为“Fabrication of GaN-based microcavities and optoelectronic devices”的报告。

2022年11月15日，本实验室成员梅洋在第十届APWS国际会议(The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, APWS 2022)上作名为“Electrically injected GaN-based microdisk: towards whispering gallery mode laser”的报告。

2022年11月15日，本实验室成员郑重明在第十届APWS国际会议(The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, APWS 2022)上作名为“A 275.91 nm vertical-cavity surface-emitting laser”的报告。

（邀请报告）2022年4月19日，本实验室成员张保平教授被邀请在The Laser Display and Lighting Conference 2022 (LDC 2022)上作名为“Toward longer-wavelength VCSEL based on nitride semiconductors”的报告。

（邀请报告）梅洋,龙浩，张保平，“可见光及紫外GaN基VCSEL”，第十七届全国激光技术与光电子学学术会议，2022年8月23日-26日，中国上海。

马立龙，谢敏超，欧伟，梅洋，张保平，“高Q值（＞12000）硅基GaN微盘激光器”，第十七届全国激光技术与光电子学学术会议，2022年8月23日-26日，中国上海。

梅洋，郑重明，许荣彬，应磊莹，龙浩，郑志威，张保平,“GaN基VCSEL研究进展”，第十七届全国MOCVD学术会议，2022年8月15日-18日，中国太原。

许锐，马晓翠，梅洋，应磊莹，张保平，龙浩,“氧空位在异质外延β-Ga₂O₃薄膜MSM型光电探测器中的影响”，第十七届全国MOCVD学术会议，2022年8月15日-18日，中国太原。

（Invited）B.-P. Zhang, "Green VCSELs based on nitride semiconductors", MOC 2019, November 17-20, 2019, Toyama, Japan.

Rongbin Xu, Yang Mei, Huan Xu, Leiying Ying, Zhiwei Zheng,Hao Long, Jianping Liu, and BaoPing Zhang,"Effect of lateral optical confinement in GaN VCSELs with double dielectric DBRs", The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors,November 10-15, 2019 ,Okinawa, Japan.

Dan Zhang, Hong Zhan, Zhensheng Lin, Wang Fan, Zhongming Zheng, Hao Long, Zhiwei Zheng, Leiying Ying, BaoPing Zhang, and Guomei He,"Simple Photoelectrochemical Etching for GaN HEMT Application", The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors,November 10-15, 2019 ,Okinawa, Japan.

Zhongming Zheng, Hao Long, Samuel Matta, Mathieu Leroux, Julien Brault, Leiying Ying, Zhiwei Zheng,and BaoPing Zhang,"Smoothing AlGaN surface by photoelectrical chemical etching", The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors,November 10-15, 2019 ,Okinawa, Japan.

（邀请报告）梅洋，“蓝宝石衬底上宽禁带材料的激光剥离及谐振腔器件研究”，第二届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会 ，2019年10月25日-10月28日，中国广西南宁。

梅洋，陈衍晖，许荣彬，徐欢，杨天瑞，郑志威，龙浩，应磊莹，李鸿渐，李志聪，张保平，“高Q值（6039）电注入绿光谐振腔发光器件”，第三届全国宽禁带半导体学术会议，2019年10月17日-10月20日，中国西安。

郑重明, 龙浩, 应磊莹, 郑志威, 张保平, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽，“DUV AlGaN LED外延片的激光剥离研究”，第三届全国宽禁带半导体学术会议，2019年10月17日-10月20日，中国西安。

徐欢, 梅洋, 许荣彬, 应磊莹, 郑志威, 龙浩，张保平，“III族氮化物紫光谐振腔发光二极管”，第三届全国宽禁带半导体学术会议，2019年10月17日-10月20日，中国西安。

陈衍晖，梅洋，徐欢，许荣彬，王灿，郑志威，龙浩，应磊莹，张保平，“介质膜DBR结构GaN基VCSEL散热性能改善研究”，第三届全国宽禁带半导体学术会议，2019年10月17日-10月20日，中国西安。

陈 澜，吴瑾照, 龙 浩，史晓玲，应磊莹，郑志威，张保平，“光场有源区耦合对GaN基VCSEL激射阈值的影响”，第三届全国宽禁带半导体学术会议，2019年10月17日-10月20日，中国西安。

王灿，任伯聪，许荣彬，陈衍辉，应磊莹，郑志威，龙浩，张保平，无需金属切割的GaN基垂直结构LEDs的制备，第三届全国宽禁带半导体学术会议，2019年10月17日-10月20日，中国西安。

（Invited）B. P. Zhang, "RT CW lasing of GaN-based green VCSELs", SPIE Photonics West 2019, 2-7 February, San Francisco, California, USA.

Lei Wang, Qingxuan Li(equal contribution),Ningyang Liu, Ligang Song, Bo Li, Binhong Li, Mengxin Liu, Yang Huang, Baoping Zhang, Zhitao Chen, ingzhong Cao, Baoyi Wang, Bo Mei, Jiajun Luo, and Zhengsheng Han,"Comparison of 10 MeV Electron Beam Irradiation Effect on InGaN/GaN and AlGaN/GaN Multiple Quantum Wells",The 3rd International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD),December 9-12, 2018, Kunming, China.

Paul Onkundi Nyangaresi, Yi Qin, Guolong Chen, Baoping Zhang and Liang Shen, "Comparison of single and combined UVC/UVB-LEDs applied in a batch water disinfection system",The 3rd International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD),December 9-12, 2018, Kunming, China.

Zhongming Zheng, Yingquan Li,Hao Long, Jianchang Yan, Junxi Wang, Jinmin Li, Samuel Matta, Mathieu Leroux, Julien Brault, Leiying Ying, Zhiwei Zheng, and Baoping Zhang,"Emission properties of multi-quatum wells and quantum dots structures in deep ultraviolet", The 3rd International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD),December 9-12, 2018, Kunming, China.

Z.M. Zheng,Y.Q. Li,Hao Long, S. Matta, M.Leroux, J.Brault, L.Y.Ying,Z.W.Zheng, and B.P.Zhang,"Fabrication and study of nitride DUV VCSEL structure",The 3rd International Workshop on UV Materials and Devices(IWUMD),December 9-12, 2018, Kunming, China.

2018年11月23日-25日，张保平，“GaN基半导体VCSEL研究”，第十一届全国光子学学术会议，中国广东省广州市。

Rongbin Xu, Yang Mei, Huan Xu, Leiying Ying, Zhiwei Zheng, Hao Long, Jianping Liu, and Baoping Zhang, "Green VCSELs based on combination of blue-emitting quantum wells and cavity-enhanced recombination", International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN), November 11-16 2018,Kanazawa, Japan.

2018年11月8日-9日，张保平，“氮化镓基垂直腔面发射激光器”，香山科学会议第641次学术讨论会（宽禁带半导体发光的发展战略），北京香山。

2018年7月22日-27日，张保平，“GaN基绿色VCSEL研究”（邀请报告），第十八届全国晶体生长与材料学术会议，中国西安。

2018年7月12日-16日，张保平，“GaN基VCSEL研究进展”，中国材料大会（CMC），福建厦门。

（Invited）Bao-Ping Zhang, "Fabrication of VSCELs Emitting in the 'Green Gap'", OPTICS&PHOTONICS International Congress(OOIC), 23-27 April 2018,Yokohama,Japan.

（邀请报告） 张保平，“氮化物垂直腔面发射激光器研究”， 第十八届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 ，2017年12月18日-12月20日，中国厦门。

B. P. Zhang, Y. Mei, R. B. Xu, Z. W. Zheng, H. Long, L. Y. Ying and J. P. Liu, "Realization of green VCSELs using InGaN QDs", China-Korea Symposium on Low Dimensional Electronic and Photonic Materials and Devices, 4th-8th November 2017, Shenzhen, China.

J. Z. Wu, X. L. Shi, H. Long, L. Y. Ying, Z. W. Zheng and B. P. Zhang, "Polariton luminescence in InGaN quantum wells microcavity at room temperature", 24th-27th September 2017, Qingdao, China.

X. M. Cai, X. Q. Lv, X. J. Huang, X. L. Wang, L. Yang, M. S. Wang and B. P. Zhang, "Demonstration and study of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells", 24th-27th September 2017, Qingdao, China.

R. B. Xu, Y. Mei, L. Y. Ying, Z. W. Zheng, H. Long, W. Hofmann, J. P. Liu and B. P. Zhang, "Simultaneous blue and green lasing of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers", 24th-27th September 2017, Qingdao, China.

(Invited) B. P. Zhang, "Fabrication of GaN-based VCSELs from violet to green", 24th-27th September 2017, Qingdao, China.

梅洋，许荣彬，徐欢，应磊莹，郑志威，龙浩，张保平，“GaN基蓝绿色垂直腔面发射激光器研究”,第二届全国宽禁带半导体学术会议，2017年8月10日-8月12日，青海西宁。

Y. Mei, G. E. Wen, L. Y. Ying, R. B. Xu, Z. W. Zheng, W. Hofmann, J. P. Liu, H. Yang and B. P. Zhang,"Vertcal-cavity surface=emitting lasers emitting in the 'green gap'", 12th International Conference on Nitride Semiconductors,24th-28th July 2017,Strasbourg, France.

X. M. Cai, X. Q. Lv, X. L. Wang, H. L. Zhu, M. S. Wang, L. Yang and B. P. Zhang,"Investigation of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with different barrier thickness",12th International Conference on Nitride Semiconductors,24th-28th July 2017,Strasbourg, France.

J. Z. Wu, H. Long and B. P. Zhang，“Polariton Luminescence in InGaN Quantum Wells Microcabity at Room Temperature”,12th International Conference on Nitride Semiconductors,24th-28th July 2017,Strasbourg, France.

H. Long, X. H. Feng, Y. Mei, T. J. Yu, S. S. Fan, L. Y. Ying and B. P. Zhang, "Carbon nanotube assisted Lift off of GaN layers on sapphire", 12th International Conference on Nitride Semiconductors,24th-28th July 2017,Strasbourg, France.

B. P. Zhang, Y. Mei, R. B. Xu, Z. W. Zheng, H. Long, L. Y. Ying, "Green Semiconductor Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers based on Quantum Dots', Nano-Micro Conference 2017, June 19-23,2017 Shanghai, China.

（Invited）B. P. Zhang, Y. Mei, G. E. Weng, J. P. Liu, W. Hofmann, L. Y. Ying. "Green VCSELs based on InGaN QDs", SPIE Photonics Asia 2016, October, Beijing, China.

吴瑾照，龙浩，张保平*，“室温InGaN量子阱微腔中激子极化激元的研究” ，十五届全国固体薄膜学术会议，2016年12月7日-12月10日，中国上海。

龙浩，张保平*，“蓝宝石/GaN激光剥离模拟计算”，第十四届全国MOCVD学术会议，2016年8月16日-8月19日，中国吉林。

梅洋，翁国恩，应磊莹，刘建平，W.Hofmann，张保平*，“低阈值黄绿光量子点面发射激光器的室温连续激射”，第十四届全国MOCVD学术会议，2016年8月16日-8月19日，中国吉林。

（Invited）B. P. Zhang. ”Loss study and fabrication of low-threshold GaN-based VCSELs”. ISPlasma2016/IC-PLANT2016, March 5-10, 2016, Nagoya, Japan.

张保平，“GaN基VCSEL研究”，第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议，2015年10月30日-11月2日，中国江苏。

梅洋，翁国恩，张江勇，应磊莹，张保平，李增成，刘建平，杨辉，“低阈值蓝绿光垂直腔面发射激光器研究”，第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议，2015年10月30日-11月2日，中国江苏。

(合作发表)陈少强，翁国恩，胡小波，张保平，秋山英文，“氮化物面发射激光器的增益开关特性”，第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议，2015年10月30日-11月2日，中国江苏。

龙浩，曾勇平，张保平，“双P型LED发光器件”，第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议，2015年10月30日-11月2日，中国江苏。

郑志威，赖萌华，余健，张江勇，应磊莹，张保平，“垂直结构InGaN/GaN多量子阱太阳能电池研究”，第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议，2015年10月30日-11月2日，中国江苏。

W. R. Zhao, G. E. Weng, J. Y. Wang, J. Y. Zhang, H. W. Liang, T. Sekiguchi, and B. P. Zhang, "Enhanced Light Emission Due to Formation of Semi-Polar InGaN/GaN Multi-Quantum Wells", The 11th International Conference on Nitride Semiconductors, August 30-September 4, 2015, Beijing, China.

G. E. Weng, W. J. Liu, Y. Mei, Y. P. Zeng, J. Y. Zhang, L. Y. Ying, Z. C. Li, J. P. Liu, H. Yang, and B. P. Zhang. ”Low Threshold Lasing of GaN-Based VCSELs Emitting in the Blue-Green”, The 11th International Conference on Nitride Semiconductors, August 30-September 4, 2015, Beijing, China.

蔡晓梅，张江勇，应磊莹，吕雪芹，张保平*，“氮化物光伏电池的制备和特性分析”，第十三届全国MOCVD学术会议，2014年5月6日-9日，江苏扬州。

张江勇，应磊莹，陈明，刘文杰，张保平*，“高散热正装结构薄膜LED研究”，第十三届全国MOCVD学术会议，2014年5月6日-9日，江苏扬州。

陈明，应磊莹，张江勇，张保平*，“基于激光剥离技术的自分裂垂直结构GaN基LED”，第十三届全国MOCVD学术会议，2014年5月6日-9日，江苏扬州。

翁国恩，赵婉如，陈少强，刘建平，张江勇，张保平*，“InGaN量子点中的载流子局域效应”，第十三届全国MOCVD学术会议，2014年5月6日-9日，江苏扬州。

(邀请报告)刘文杰，应磊莹，张江勇，张保平*，“基于高Q值微型谐振腔的GaN基垂直腔面发射激光器”，第十三届全国MOCVD学术会议，2014年5月6日-9日，江苏扬州。

吕雪芹，陈少伟，张江勇，应磊莹，张保平，“GaN基光栅外腔可调谐半导体激光器性能研究”， 第13届全国发光学学术会议，2013年4月20日-24日，南京。

胡晓龙，刘文杰，张江勇，应磊莹，吕雪芹，张保平，“电注入高Q值氮化物谐振腔的器材的研制”，第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议，2012年11月7日-10日，开封。

X. M. Cai, Y. Wang, Z. D. Li, S. Lin, M. M. Liang, X. Q. Lv, J. Y. Zhang, and B. P. Zhang*."Improved photovoltaic performance of InGaN/GaN solar cells with optimized tr-ansparent current spreading electrode", International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012), October 14-19, 2012, Sapporo, Japan.

X. L. Hu, W. J. Liu, J. Y. Zhang, G. E. Weng, M. M. Liang, X. Q. Lv, L. Y. Ying,and B. P. Zhang*. "Fabrication of high quality nitride based resonators for vertical-cavity surf-aceemitting laser", InternationalWorkshop on Nitride Semiconductors(IWN2012), October 14-19, 2012, Sapporo, Japan.

W. J. Liu, X. L. Hu, J. Y. Zhang, X. Q. Lv, L. Y. Ying, and B. P. Zhang*. "Enhanced performance of GaN-based light-emitting devices using low-temperature metallic bondin-g technique", International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2012), October 14-19, 2012, Sapporo, Japan.

M. Chen, L. E. Cai, J. Y. Zhang, L. Sun, F. Jiang, W. J. Liu, M. M. Liang, X. L. Hu, X. M. Cai, X. Q. Lv, L. Y. Ying, and B. P. Zhang*. "Fabrication of Vertical-structured GaN-Based Light-Emitting Diodes Using Auto-Split Laser Lift-Off Technique", Internati-onal Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2012), October 14-19, 2012, Sapporo, Japan.

(Invited)B. P. Zhang*, "Fabrication and Operation of InGaN Quantum-well Optical Devices", DYCE-ASIA Workshop: Dynamically-correlated electrons and blue-violet gen-erating materials and devices, April 23-24, 2012, Tokyo, Japan.

(Invited)B. P. Zhang*, "High-Power GaN-based LEDs by Improved Heat Dissipation", Unversity of Yamanashi International Symposium UYIS2011: Symposium on Global Research in Advanced Photonics and Energy (GRAPE), December 6, 2011, Yamanashi, Japan.

X. M. Cai, S. W. Zeng, X. Li, J. Y. Zhang, S. Lin, A. K. Lin and B. P. Zhang*, "Effect of Light Intensity and Temperature on The Performance of GaN-based p-i-n Solar Cells", The 2nd International Conference on Electrical and Control Engineering, Sept 16-18, 2011, Yichang, China.

(邀请报告)张保平，张江勇，胡晓龙。蔡丽娥，刘文杰，陈明，王启明，“蓝绿光VCSEL与RCLED研究”，第12届全国发光学学术会议，2010年11月5日-8日，苏州。

(Invited)B. P. Zhang*, J. Y. Zhang, L. E. Cai and X. L. Hu, "Design and Fabrication of Optically Pumped GaN-based VCSELs", The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices(ISSLED2010), May 17-21, 2010, Beijing, China.

(Invited)B.P.Zhang*, J. Y. Zhang, L. E. Cai and X. L. Hu, "GaN-based Micro-cavity Optoelectronic Devices", IEEE-NEMS 2010, January 20-23, Xiamen, China.

(邀请报告)张保平，张江勇，蔡丽娥，胡晓龙，余金中，王启明，“氮化物垂直腔面发射激光器”，第十一届全国MOCVD学术会议，2010年1月12日-15日，苏州。

J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang*, J. Z. Shang, J. Z. Yu and Q. M. Wang, "Design and Characteristics of Periodic Gain GaN-based Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSELs)", International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2008), October 6-10, 2008, Montreux, Switzerland.

J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang*, J. Z. Shang, J. Z. Yu and Q. M. Wang, "Blue Lasing of Optically Pumped GaN-based Vertical Cavity Surface Emitting Lasers", The Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS2009), May 24-28, Zhangjiajie, China.

S. W. Zeng, B. P. Zhang*, J. W. Sun, J. F. Cai, C. Chen and J. Z. Yu, "Fabrication and Characterization of InGaN p-i-n Homojunction Solar Cells ", The Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS2009), May 24-28, Zhangjiajie, China.

C. M. Wu, J. Z. Shang, B. P. Zhang*, J. Y. Zhang, J. Z. Yu and Q. M. Wang, "Impact of GaN Buffer Layer on Properties of AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors", The Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS2009), May 24-28, Zhangjiajie, China.