一种氮化物发光器件及其制备方法，申请号：200920111571.1

一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，申请号：200710009955.3

一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法，申请号：200710009956.8

大功率半导体微腔发光二极管，申请号：200910110947.7

氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法，申请号：200910110946.2

一种改善p型氮化镓薄膜电学特性的方法，申请号：201510018419.4