姚真瑜同学顺利通过了题为“450nm-GaN基光栅外腔半导体激光器研究”的硕士学位论文答辩

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2014年11月25日上午10:00,本研究室成员姚真瑜同学,在信息与工程技术学院行政楼-C505室,顺利通过了题为“450nm-GaN基光栅外腔半导体激光器研究”的硕士学位论文答辩。

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