近日，电子科学与技术学院梅洋助理教授等在氮化镓Micro-LED方面取得新进展，相关成果以“Improvement of the Emission Intensity of GaN-Based Micro-LightEmitting Diodes by a Suspended Structure”为题发表于期刊ACSPhotonics。

    通过制备具有半悬浮结构的GaN基micro-LED，有效提升了器件的光提取效率。半悬浮micro-LED器件中发光层与原有蓝宝石衬底分离，并被支撑于镀有金属反射镜的铜微米柱与铜基板上，因此其光逃逸面大幅度增加。发光层产生的光子不仅能从器件上表面出射，也能从发光层下表面逃逸出器件并被反射镜反射向上输出。此外，由于发光层与衬底分离，其内部应力也得到较大程度释放，进一步提升了发光层中辐射复合速率与发光效率。相比于普通结构的GaN基micro-LED，半悬浮器件的光提取效率提升了68%，输出光功率提升了114%，为制备高性能GaN基micro-LED提供了新的思路。

    上述工作由厦门大学电子科学与技术学院张保平教授领导的课题组与华东师范大学陈少强教授领导的课题组合作完成，第一作者为课题组成员梅洋助理教授，通讯作者为翁国恩副教授和张保平教授。张保平教授课题组长期进行GaN基发光器件如谐振腔LED（RCLED）、micro-LED、以及垂直腔面发射激光器（VCSEL）研究，目前已成功实现蓝紫光、蓝光、绿光器件的电注入激射，并且在国际上首次实现了深紫外波段（UVC）VCSEL的光泵浦激射。该项工作得到了国家自然科学基金以及国家重点研发计划重点专项的资助。

（文章链接：Improvement of the Emission Intensity of GaN-Based Micro-Light Emitting Diodes by a Suspended Structure）

（上述报道转自厦门大学科学技术处）