主要进行GaN半导体的微纳结构的制备、光学性质研究及新型器件应用探索。本研究室在国际上率先实现了基于InGaN量子阱的激子极化激元激射；进行了电注入高Q值(>10000）圆盘谐振腔的设计和制备，观察到了光泵条件下的激射；研制新型谐振腔结构LED（RCLED）。