2026年7月27日至29日，第十九届全国MOCVD学术会议在内蒙古·呼和浩特隆重举行。本次会议由中国有色金属学会、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、第三代半导体产业技术创新战略联盟等主办，汇聚了国内MOCVD生长技术与化合物半导体材料器件领域的专家学者，围绕材料生长、表征与装备，功率电子与射频器件，光电子器件与应用，超宽禁带半导体与前沿交叉，封装、应用及AI for MOCVD等核心议题展开深入交流。

（梅洋老师作邀请报告）

课题组助理教授梅洋老师，博士生杨涛、王玉坤、马立龙，博士后侯鑫等参加会议。梅洋老师应邀作了题为“紫外与可见光波段GaN基VCSEL研究进展”的邀请报告，系统汇报了课题组在蓝绿光和紫外电注入垂直腔面发射激光器（VCSEL）方面取得的研究进展，报告内容引起与会专家广泛关注。

（博士生王玉坤作口头报告）

博士生王玉坤作了口头报告，具体汇报了课题组在紫外电注入VCSEL方面的突破性进展，这是国际上首次报道在紫外波段实现电注入VCSEL，相关成果得到了与会学者的高度关注与积极评价。

（博士生们进行海报展示）

此外，侯鑫、杨涛、马立龙等人进行了海报展示，围绕相关研究工作与参会学者展开交流讨论。

（课题组参会师生合影留念）

      此次参会充分展示了课题组在GaN基垂直腔面发射激光器领域的最新研究成果，进一步增强了与国内同行的学术交流与合作，对推动相关方向的研究进展具有积极意义。