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2013年6月7日下午15:00，本研究室成员胡晓龙和蔡晓梅，在亦玄馆306室，分别顺利通过了题为“高Q值GaN基微腔发光器件研究”和“InGaN太阳能电池的制备及特性研究”的博士学位论文答辩。
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