孙丽顺利通过了题为“p-GaN退火对GaN基LED外延材料及器件性能的影响”的硕士学位论文答辩

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2013年6月4日下午15:00,本研究室成员孙丽,在亦玄馆306室,顺利通过了题为“p-GaN退火对GaN基LED外延材料及器件性能的影响”的硕士学位论文答辩。

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