应磊莹（工学硕士，高级工程师）

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个人简历

女，高级工程师，目前主要从事宽禁带半导体光电子器件方面的研究工作。

1983年7月 中山大学物理系理学学士学位

1986年2月 中国电子科技集团第十三研究所 工学硕士学位

1986年3月- 1991年1月 中国电子科技集团第十三研究所 助理工程师

1994年10月- 1998年3月 （日本）东北大学电气通讯研究所 研究生

1999年6月- 2005年9月 （日本）产业技术综合研究所东北支所技术员

2005年10月- 2011年2月 （日本）理化学研究所太赫兹量子器件研究室高级技术员

2011年2月- 2013年1月 厦门大学物理系物理基础实验室工程师

2013年2月- 今 厦门大学电子工程系工程师

研究方向

半导体器件与工艺

代表作

[1]S. Q. Lai, Q. X. Li, H. Long, L. Y. Ying, Z. W. Zheng, B. P. Zhang*,"Theoretical study and optimization of the green InGaN/GaN multiple quantum wells with pre-layer",Superlattices and Microstructures,155(2021)106906.

[2]Y. Mei, M. C. Xie, H. Xu, H. Long, L. Y. Ying and B. P. Zhang, "Electrially injected GaN-based microdisk towards an enfficient whispering gallery mode laser", Optics Express, 29(4)(2021)5598-5606.

[3]Y. H. Chen, Y. Mei, H. Xu, R. B. Xu, L. Y. Ying, Z. W. Zheng, H. Long and B. P. Zhang, "Improvement of Thermal Dissipation of GaN-Based Micro Cavity Light-Emitting Devices", IEEE Photonics Technology Letters, 33(1)(2021)11-22.

[4]S. Q. Lai, Q. X. Li, H. Long, J. Z. Wu, L. Y. Ying, Z. W. Zheng, Zh. R. Qiu, B. P. Zhang*, "Photoluminescence of Green InGaN/GaN MQWs Grown on Pre-wells",Chinese Physics B, 29(12)(2020)127802.

[5]S. Q. Lai, Q. X. Li, H. Long, J. Zh. Wu, L. Y. Ying, Zh. W. Zheng, Zh. R. Qiu and B. P. Zhang*, "Photoluminescence of green InGaN/GaN MQWs grown on pre-wells",Chinese Physics B, 29(2020)127802.

[6]Z. M. Zheng, H. Long, Samuel Matta, Mathieu Leroux, Julin Brault, L. Y. Ying, Z. W. Zheng and B. P. Zhang, "Photoassisted chemical smoothing of AlGaN surface after laser lift-off", Journal of Vacuum Science&Technology B, 38(2020)042207.

[7]H. Xu, Y. Mei, R. B. Xu, L. Y. Ying, X. L. Su, J. P. Liu and B. P. Zhang, "Green VCSELs based on nitride semiconductors",Japanese Journal of Applied Physics, 59(2020)SO0803.

[8]R. B. Xu, Y. Mei, H. Xu, T. R. Yang, L. Y. Ying, Z. W. Zheng, H. Long, B. P. Zhang and J. P. Liu, "Effects of Lateral Optical Confinement In GaN VCSELs With Double Dielectric DBRs", IEEE Photonics Journal, 12(2020)1501708.

[9]]苏旭良，王灿，应磊莹，徐欢，许荣彬，梅洋，郑志威，龙浩，张保平, "自分裂GaN基垂直结构LED研究", 《光子学报》，49（2020）1223004.

[10]陈澜, 吴瑾照，龙浩，史晓玲，应磊莹，郑志威，丘志仁，张保平，"光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响"，《发光学报》, 41(2020)0048.

[11]杨天瑞，徐欢，梅洋，许荣彬，张保平，应磊莹，“GaN垂直腔面发射激光器研究进展”，《中国激光》, 47(2020)0701012.